磁控濺射技術(shù)由于其顯著的優(yōu)點(diǎn)成為工業(yè)鍍膜主要技術(shù)之一，改進(jìn)靶的設(shè)計(jì)進(jìn)一步提高靶材利用率及鍍膜均勻性，降低鍍膜成本也是現(xiàn)在鍍膜技術(shù)亟須解決的關(guān)鍵問題之一，多年來一直被靶材研究人員關(guān)注。與德國(guó)、日本等世界靶材強(qiáng)國(guó)相比，我國(guó)磁控濺射靶材研究相對(duì)落后，但是近年來，隨著大部分國(guó)家光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)內(nèi)大型靶材公司加大投入，取得了很大的成果。

　　從磁控濺射鍍膜技術(shù)誕生以來，人們主要關(guān)注磁控濺射的問題是：靶材的利用率、沉積效率、薄膜均勻性、鍍膜過程中的穩(wěn)定性以及滿足各種復(fù)雜的鍍膜要求等問題。對(duì)于大多數(shù)磁控鍍膜設(shè)備特別是平面磁控濺射靶，由于正交電磁場(chǎng)對(duì)濺射離子的作用關(guān)系，將其約束在閉合磁力線中，使得濺射靶材在濺射中產(chǎn)生不均勻沖蝕現(xiàn)象，一旦靶材刻蝕穿，靶材即報(bào)廢，進(jìn)而造成靶材的利用率一直較低，一般是30%以下。靶材是磁控濺射過程中的基本耗材，不僅使用量大，而且靶材利用率的高低對(duì)工藝過程及生產(chǎn)周期起著至關(guān)重要的作用，雖然目前靶材可以回收再利用，但是其仍然對(duì)企業(yè)成本控制上以及提高企業(yè)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力有很大的影響。因此想方設(shè)法提高靶材利用率是必然的。對(duì)此國(guó)內(nèi)外很多廠商也做出了很多改進(jìn)的措施。

　　當(dāng)前，當(dāng)前提高磁控陰較靶材利用率的原理主要基于改變靶面閉合磁場(chǎng)位形，方法上大致分為靜態(tài)方法和動(dòng)態(tài)方法。靜態(tài)法與動(dòng)態(tài)法均有其優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，靜態(tài)法對(duì)磁鋼的位形有著較高的要求而且磁鋼位形的改變而造成的磁場(chǎng)的改變對(duì)靶材利用率的影響需要大量的進(jìn)行模擬及實(shí)驗(yàn)，但是一旦成功后即可獲得顯著的效果；動(dòng)態(tài)法就是動(dòng)態(tài)的變換靶面磁場(chǎng)的分布，進(jìn)而改變靶面等離子體刻蝕區(qū)域，拓寬靶材的刻蝕區(qū)域，提高靶材的利用率以及鍍膜的均勻性，但是這種方法較大的增加了磁控陰較的結(jié)構(gòu)以及制造組裝的復(fù)雜性。

　　平面轉(zhuǎn)管狀：多年來，鍍膜設(shè)備主要使用平面陰較，要求平面靶材與之配套。雖然人們通過設(shè)計(jì)移動(dòng)磁場(chǎng)等方式來提高平面靶材的利用率，但目前，平面靶材的利用率較高也只能達(dá)到40%左右。為了進(jìn)一步提高靶材利用率，人們?cè)O(shè)計(jì)了使用效率更高的旋轉(zhuǎn)陰較，用管狀的靶材進(jìn)行濺射鍍膜。濺射設(shè)備的改進(jìn)要求靶材從平面形狀改變?yōu)楣軤�，管狀旋轉(zhuǎn)靶材的利用率可以高達(dá)80%以上。

　　近年來，國(guó)內(nèi)大型靶材供應(yīng)商加大了對(duì)磁控濺射靶材的研發(fā)力度，廣州、深圳等地的靶材供應(yīng)商，已可以量產(chǎn)出高品質(zhì)、高利用率的磁控靶材，相信在不久的將來，這些的靶材供應(yīng)商將會(huì)對(duì)國(guó)外靶材強(qiáng)國(guó)發(fā)起一波強(qiáng)而有力的沖擊。