【中玻網(wǎng)】1、技術(shù)背景

真空（詞條“真空”由行業(yè)大百科提供）磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機(jī)實(shí)現(xiàn)的，鍍膜機(jī)內(nèi)由不同級(jí)別的真空泵抽氣，在系統(tǒng)內(nèi)營造出一個(gè)鍍膜所需的真空環(huán)境，真空度要達(dá)到Low-E鍍膜所需的本底真空，一般在(1~5)×10-8Pa。在真空環(huán)境中向靶材(陰較（詞條“陰較”由行業(yè)大百科提供）)下充入工藝氣體氬氣(Ar)，氬氣在外加電場(chǎng)(由直流或交流電源產(chǎn)生)作用下發(fā)生電離生成氬離子(Ar+)，同時(shí)在電場(chǎng)E的作用下，氬離子加速飛向陰較靶并以高能量轟擊靶表面，使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子(或分子)沉積在玻璃基片上形成薄膜。同時(shí)被濺射出的二次電子在陰較暗區(qū)被加速，在飛向基片的過程中，落入設(shè)定的正交電磁場(chǎng)的電子阱中，直接被磁場(chǎng)的洛倫茲力束縛，使其在磁場(chǎng)B的洛倫茲力作用下，以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運(yùn)動(dòng)。電子e的運(yùn)動(dòng)被電磁場(chǎng)束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi)，使其到達(dá)陽較前的行程大大增長(zhǎng)，大大增加碰撞電離幾率，使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加，轟擊靶材的高能Ar+離子增多，從而實(shí)現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點(diǎn)。在運(yùn)用該機(jī)理開發(fā)Low-E膜系的過程中，要注意以下幾個(gè)問題：①保證整體工藝中各個(gè)環(huán)節(jié)的可靠性（詞條“可靠性”由行業(yè)大百科提供）。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原片新鮮程度、原片清洗質(zhì)量等基礎(chǔ)因素，這一系列因素會(huì)對(duì)Low-E鍍膜玻璃產(chǎn)品的較終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對(duì)陰較的前后順序布置實(shí)現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之，只有控制好以上各因素，才能夠保證所開發(fā)的雙銀Low-E鍍膜玻璃具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的機(jī)械性能和可加工性。

此外，在雙銀膜系開發(fā)過程中，原始數(shù)據(jù)的積累和歸納分析非常重要。原始數(shù)據(jù)應(yīng)該包括：膜層結(jié)構(gòu)、各個(gè)單層膜的厚度和均勻性調(diào)試數(shù)據(jù)、雙銀Low-E樣片的光學(xué)參數(shù)、面電阻及理化性能試驗(yàn)數(shù)據(jù)等。

2、雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系的開發(fā)過程

雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系開發(fā)過程中有3個(gè)必要條件必須保證：一是硬件的保證。離線雙銀Low-E產(chǎn)品的實(shí)現(xiàn)是基于可生產(chǎn)大面積建筑用鍍膜玻璃的真空磁控濺射設(shè)備;二是合理的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)。基于對(duì)各膜層材料性能充分理解掌握的基礎(chǔ)上，進(jìn)行合理的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，才能確保產(chǎn)品在機(jī)械性能、舒緩反應(yīng)性能、可加工性上的優(yōu)異表現(xiàn);三是有清晰的開發(fā)流程。明確開發(fā)流程各階段的關(guān)鍵參數(shù)及工作要點(diǎn)，重視原始數(shù)據(jù)的記錄和分析。